Foup Contamination Eject System
요약정보
- Wafer 표면의 Natural Oxide 및 Contamination을 방지하고자 함
- 평상時 FAB 內 습도 : 40~50%, Foup 內 습도 : 40~50%
- Foup 內 습도를 10% 이하로 관리하여 Natural Oxide 생성 및 Contamination을 방지
- Natural Oxide 생성으로 인한 불필요한 Process를 Skip하여 생산성 향상
- Yield & Quality 향상 기대 효과
- Inert Gas와 Vac Type 특허 출원 中